| Май | 56 167 ₽ | 0 |
| Июнь | 49 320 ₽ | -6 847 |
| Июль | 42 824 ₽ | -6 496 |
| Август | 50 201 ₽ | + 7 377 |
| Сентябрь | 51 255 ₽ | + 1 054 |
| Октябрь | 52 400 ₽ | + 1 145 |
| Socket: | LGA1366 |
| Техпроцесс: | 45 нм |
| Ядро: | Gainestown |
| Количество ядер: | 4 |
| Напряжение на ядре: | 0.75 B |
| Коэффициент умножения: | 16 |
| Встроенный контроллер памяти: | Есть, полоса 19.2 ГБ/с |
| Тактовая частота: | 2133 МГц |
| Объем кэша L2: | 1 МБ |
| Объем кэша L3: | 4 МБ |
| Максимальная рабочая температура: | 70 °C |
| Дополнительная информация: | Напряжение на ядре 0.75В-1.35В |
| Типичное тепловыделение: | 60 Вт |