| Июль | 18 156 ₽ | 0 |
| Август | 24 976 ₽ | + 6 820 |
| Сентябрь | 28 438 ₽ | + 3 462 |
| Октябрь | 28 388 ₽ | -50 |
| Ноябрь | 26 400 ₽ | -1 988 |
| Декабрь | 26 400 ₽ | 0 |
| Socket: | LGA1366 |
| Количество ядер: | 4 |
| Техпроцесс: | 45 нм |
| Ядро: | Gainestown |
| Напряжение на ядре: | 0.75 B |
| Коэффициент умножения: | 17 |
| Тактовая частота: | 2267 МГц |
| Встроенный контроллер памяти: | Есть, полоса 25.6 ГБ/с |
| Объем кэша L3: | 8 МБ |
| Объем кэша L2: | 1 МБ |
| Типичное тепловыделение: | 80 Вт |
| Дополнительная информация: | Напряжение на ядре 0.75В-1.35В |
| Максимальная рабочая температура: | 76 °C |