| Май | 21 635 ₽ | 0 |
| Июнь | 23 299 ₽ | + 1 664 |
| Июль | 26 596 ₽ | + 3 297 |
| Август | 25 558 ₽ | -1 038 |
| Сентябрь | 24 762 ₽ | -796 |
| Октябрь | 28 170 ₽ | + 3 408 |
| Socket: | LGA1366 |
| Количество ядер: | 4 |
| Техпроцесс: | 45 нм |
| Ядро: | Gainestown |
| Напряжение на ядре: | 0.75 B |
| Тактовая частота: | 2133 МГц |
| Коэффициент умножения: | 16 |
| Встроенный контроллер памяти: | Есть, полоса 19.2 ГБ/с |
| Объем кэша L2: | 1 МБ |
| Объем кэша L3: | 4 МБ |
| Типичное тепловыделение: | 80 Вт |
| Максимальная рабочая температура: | 76 °C |
| Дополнительная информация: | Напряжение на ядре 0.75В-1.35В |