| Буферизованная (Registered): | Нет |
| Тактовая частота: | 1600 МГц |
| Поддержка ECC: | Нет |
| Форм-фактор: | SODIMM 204-контактный |
| Пропускная способность: | 12800 МБ/с |
| Тип памяти: | DDR3L |
| Объем: | 1 модуль 8 ГБ |
| Низкопрофильная (Low Profile): | Нет |
| CAS Latency (CL): | 11 |
| RAS to CAS Delay (tRCD): | 11 |
| Activate to Precharge Delay (tRAS): | 35 |
| Row Precharge Delay (tRP): | 11 |
| Напряжение питания: | 1.35 В |