Тип памяти: | DDR3 |
Буферизованная (Registered): | Нет |
Низкопрофильная (Low Profile): | Нет |
Форм-фактор: | SODIMM 204-контактный |
Поддержка ECC: | Нет |
Объем: | 1 модуль 8 ГБ |
Пропускная способность: | 12800 МБ/с |
Тактовая частота: | 1600 МГц |
Row Precharge Delay (tRP): | 11 |
CAS Latency (CL): | 11 |
RAS to CAS Delay (tRCD): | 11 |