| Форм-фактор: | SODIMM 200-контактный |
| Пропускная способность: | 5300 МБ/с |
| Объем: | 1 модуль 512 МБ |
| Тип памяти: | DDR2 |
| Низкопрофильная (Low Profile): | Нет |
| Буферизованная (Registered): | Нет |
| Тактовая частота: | 667 МГц |
| Поддержка ECC: | Нет |
| CAS Latency (CL): | 5 |
| Напряжение питания: | 1.8 В |
| Количество ранков: | 1 |