Буферизованная (Registered): | Нет |
Объем: | 2 модуля по 4 ГБ |
Тип памяти: | DDR3 |
Тактовая частота: | 2000 МГц |
Низкопрофильная (Low Profile): | Нет |
Поддержка ECC: | Нет |
Пропускная способность: | 16000 МБ/с |
Форм-фактор: | DIMM 240-контактный |
Activate to Precharge Delay (tRAS): | 28 |
CAS Latency (CL): | 9 |
Row Precharge Delay (tRP): | 9 |
RAS to CAS Delay (tRCD): | 11 |
Радиатор: | Есть |
Напряжение питания: | 1.65 В |