Август | 3 324 ₽ | 0 |
Сентябрь | 3 298 ₽ | -26 |
Октябрь | 3 316 ₽ | + 18 |
Ноябрь | 3 630 ₽ | + 314 |
Декабрь | 3 200 ₽ | -430 |
Январь | 1 942 ₽ | -1 258 |
Тактовая частота: | 1600 МГц |
Буферизованная (Registered): | Нет |
Поддержка XMP: | Нет |
Поддержка ECC: | Нет |
Пропускная способность: | 12800 МБ/с |
Форм-фактор: | SODIMM 204-контактный |
Низкопрофильная (Low Profile): | Нет |
Объем: | 1 модуль 4 ГБ |
Тип памяти: | DDR3 |
Row Precharge Delay (tRP): | 11 |
CAS Latency (CL): | 11 |
RAS to CAS Delay (tRCD): | 11 |
Количество ранков: | 2 |
Количество чипов каждого модуля: | 16, двусторонняя упаковка |
Напряжение питания: | 1.5 В |