| Май | 1 693 ₽ | 0 |
| Июнь | 1 447 ₽ | -246 |
| Июль | 1 392 ₽ | -55 |
| Август | 1 420 ₽ | + 28 |
| Сентябрь | 1 443 ₽ | + 23 |
| Октябрь | 1 486 ₽ | + 43 |
| Поддержка ECC: | Нет |
| Тактовая частота: | 1600 МГц |
| Поддержка XMP: | Нет |
| Низкопрофильная (Low Profile): | Нет |
| Объем: | 1 модуль 4 ГБ |
| Буферизованная (Registered): | Нет |
| Пропускная способность: | 12800 МБ/с |
| Форм-фактор: | SODIMM 204-контактный |
| Тип памяти: | DDR3 |
| Row Precharge Delay (tRP): | 11 |
| Activate to Precharge Delay (tRAS): | 28 |
| CAS Latency (CL): | 11 |
| RAS to CAS Delay (tRCD): | 11 |
| Гарантийный срок: | 10 лет |
| Количество чипов каждого модуля: | 8, двусторонняя упаковка |
| Количество ранков: | 1 |
| Напряжение питания: | 1.5 В |
Можно и дешевле продавать. Все таки DDR3
Приобреталась для расширения памяти в ноуте. Приобреталось сразу 2 по 4 Гб планки. Для полной замены стоявшей самсунговской памяти 2 по 2 Гб. Танцев никаких снял старую установил новую и вуаля все работает.