Май | 1 693 ₽ | 0 |
Июнь | 1 447 ₽ | -246 |
Июль | 1 392 ₽ | -55 |
Август | 1 420 ₽ | + 28 |
Сентябрь | 1 443 ₽ | + 23 |
Октябрь | 1 486 ₽ | + 43 |
Поддержка ECC: | Нет |
Тактовая частота: | 1600 МГц |
Поддержка XMP: | Нет |
Низкопрофильная (Low Profile): | Нет |
Объем: | 1 модуль 4 ГБ |
Буферизованная (Registered): | Нет |
Пропускная способность: | 12800 МБ/с |
Форм-фактор: | SODIMM 204-контактный |
Тип памяти: | DDR3 |
Row Precharge Delay (tRP): | 11 |
Activate to Precharge Delay (tRAS): | 28 |
CAS Latency (CL): | 11 |
RAS to CAS Delay (tRCD): | 11 |
Гарантийный срок: | 10 лет |
Количество чипов каждого модуля: | 8, двусторонняя упаковка |
Количество ранков: | 1 |
Напряжение питания: | 1.5 В |
Можно и дешевле продавать. Все таки DDR3
Приобреталась для расширения памяти в ноуте. Приобреталось сразу 2 по 4 Гб планки. Для полной замены стоявшей самсунговской памяти 2 по 2 Гб. Танцев никаких снял старую установил новую и вуаля все работает.