Буферизованная (Registered): | Да |
Тактовая частота: | 667 МГц |
Поддержка ECC: | Есть |
Форм-фактор: | DIMM 240-контактный |
Пропускная способность: | 5300 МБ/с |
Тип памяти: | DDR2 |
Объем: | 1 модуль 4 ГБ |
Низкопрофильная (Low Profile): | Нет |
CAS Latency (CL): | 5 |
RAS to CAS Delay (tRCD): | 5 |
Row Precharge Delay (tRP): | 5 |
Количество чипов каждого модуля: | 20, двусторонняя упаковка |
Напряжение питания: | 1.8 В |