| Буферизованная (Registered): | Да |
| Тактовая частота: | 667 МГц |
| Поддержка ECC: | Есть |
| Форм-фактор: | DIMM 240-контактный |
| Пропускная способность: | 5300 МБ/с |
| Тип памяти: | DDR2 |
| Объем: | 1 модуль 4 ГБ |
| Низкопрофильная (Low Profile): | Нет |
| CAS Latency (CL): | 5 |
| RAS to CAS Delay (tRCD): | 5 |
| Row Precharge Delay (tRP): | 5 |
| Количество чипов каждого модуля: | 20, двусторонняя упаковка |
| Напряжение питания: | 1.8 В |