Оперативная память 4 GB 1 шт. Hynix HMT451U6AFR8C-H9
Характеристики
Общие характеристики
| Тактовая частота: | 1333 МГц |
| Пропускная способность: | 10600 МБ/с |
| Объем: | 1 модуль 4 ГБ |
| Поддержка ECC: | Нет |
| Форм-фактор: | DIMM 240-контактный |
| Низкопрофильная (Low Profile): | Нет |
| Поддержка XMP: | Нет |
| Буферизованная (Registered): | Нет |
| Тип памяти: | DDR3 |
Тайминги
| CAS Latency (CL): | 9 |
| Row Precharge Delay (tRP): | 9 |
| RAS to CAS Delay (tRCD): | 9 |
Дополнительно
| Напряжение питания: | 1.5 В |
| Количество ранков: | 1 |
| Количество чипов каждого модуля: | 8, односторонняя упаковка |
