Сентябрь | 1 804 ₽ | 0 |
Октябрь | 1 650 ₽ | -154 |
Ноябрь | 1 891 ₽ | + 241 |
Декабрь | 1 816 ₽ | -75 |
Январь | 1 826 ₽ | + 10 |
Поддержка ECC: | Нет |
Буферизованная (Registered): | Нет |
Тактовая частота: | 1600 МГц |
Объем: | 1 модуль 4 ГБ |
Тип памяти: | DDR3 |
Низкопрофильная (Low Profile): | Нет |
Форм-фактор: | SODIMM 204-контактный |
Пропускная способность: | 12800 МБ/с |
RAS to CAS Delay (tRCD): | 11 |
CAS Latency (CL): | 11 |
Row Precharge Delay (tRP): | 11 |
Напряжение питания: | 1.5 В |