| Сентябрь | 1 804 ₽ | 0 |
| Октябрь | 1 650 ₽ | -154 |
| Ноябрь | 1 891 ₽ | + 241 |
| Декабрь | 1 816 ₽ | -75 |
| Январь | 1 826 ₽ | + 10 |
| Поддержка ECC: | Нет |
| Буферизованная (Registered): | Нет |
| Тактовая частота: | 1600 МГц |
| Объем: | 1 модуль 4 ГБ |
| Тип памяти: | DDR3 |
| Низкопрофильная (Low Profile): | Нет |
| Форм-фактор: | SODIMM 204-контактный |
| Пропускная способность: | 12800 МБ/с |
| RAS to CAS Delay (tRCD): | 11 |
| CAS Latency (CL): | 11 |
| Row Precharge Delay (tRP): | 11 |
| Напряжение питания: | 1.5 В |