| Июль | 1 449 ₽ | 0 |
| Август | 1 446 ₽ | -3 |
| Сентябрь | 1 484 ₽ | + 38 |
| Октябрь | 1 506 ₽ | + 22 |
| Ноябрь | 1 572 ₽ | + 66 |
| Декабрь | 1 500 ₽ | -72 |
| Буферизованная (Registered): | Нет |
| Низкопрофильная (Low Profile): | Нет |
| Тактовая частота: | 2400 МГц |
| Тип памяти: | DDR4 |
| Пропускная способность: | 19200 МБ/с |
| Поддержка ECC: | Нет |
| Форм-фактор: | SODIMM 260-контактный |
| Объем: | 1 модуль 4 ГБ |
| Row Precharge Delay (tRP): | 17 |
| CAS Latency (CL): | 17 |
| RAS to CAS Delay (tRCD): | 17 |
| Напряжение питания: | 1.2 В |
| Количество чипов каждого модуля: | 8 |
| Количество ранков: | 1 |