Июль | 1 449 ₽ | 0 |
Август | 1 446 ₽ | -3 |
Сентябрь | 1 484 ₽ | + 38 |
Октябрь | 1 506 ₽ | + 22 |
Ноябрь | 1 572 ₽ | + 66 |
Декабрь | 1 500 ₽ | -72 |
Буферизованная (Registered): | Нет |
Низкопрофильная (Low Profile): | Нет |
Тактовая частота: | 2400 МГц |
Тип памяти: | DDR4 |
Пропускная способность: | 19200 МБ/с |
Поддержка ECC: | Нет |
Форм-фактор: | SODIMM 260-контактный |
Объем: | 1 модуль 4 ГБ |
Row Precharge Delay (tRP): | 17 |
CAS Latency (CL): | 17 |
RAS to CAS Delay (tRCD): | 17 |
Напряжение питания: | 1.2 В |
Количество чипов каждого модуля: | 8 |
Количество ранков: | 1 |