Оперативная память 2 GB 1 шт. Hynix HMA425S6BJR6N-UH
Характеристики
Общие характеристики
| Тип памяти: | DDR4 |
| Буферизованная (Registered): | Нет |
| Низкопрофильная (Low Profile): | Нет |
| Форм-фактор: | SODIMM 260-контактный |
| Поддержка ECC: | Нет |
| Объем: | 1 модуль 2 ГБ |
| Тактовая частота: | 2400 МГц |
| Пропускная способность: | 19200 МБ/с |
Тайминги
| CAS Latency (CL): | 11 |
Дополнительно
| Количество чипов каждого модуля: | 4 |
| Количество ранков: | 1 |
| Напряжение питания: | 1.2 В |
