Тип памяти: | DDR4 |
Форм-фактор: | SODIMM 260-контактный |
Пропускная способность: | 21300 МБ/с |
Буферизованная (Registered): | Нет |
Объем: | 1 модуль 16 ГБ |
Низкопрофильная (Low Profile): | Нет |
Поддержка XMP: | Нет |
Тактовая частота: | 2666 МГц |
Поддержка ECC: | Нет |
Activate to Precharge Delay (tRAS): | 43 |
Row Precharge Delay (tRP): | 19 |
CAS Latency (CL): | 19 |
RAS to CAS Delay (tRCD): | 19 |
Напряжение питания: | 1.2 В |