| Буферизованная (Registered): | Нет |
| Тип памяти: | DDR4 |
| Пропускная способность: | 21300 МБ/с |
| Тактовая частота: | 2666 МГц |
| Объем: | 1 модуль 16 ГБ |
| Поддержка ECC: | Нет |
| Форм-фактор: | SODIMM 260-контактный |
| Низкопрофильная (Low Profile): | Нет |
| Row Precharge Delay (tRP): | 19 |
| Activate to Precharge Delay (tRAS): | 19 |
| CAS Latency (CL): | 19 |
| RAS to CAS Delay (tRCD): | 19 |
| Количество ранков: | 1 |
| Напряжение питания: | 1.2 В |
| Количество чипов каждого модуля: | 8 |