Август | 1 664 ₽ | 0 |
Сентябрь | 1 636 ₽ | -28 |
Октябрь | 1 729 ₽ | + 93 |
Ноябрь | 1 582 ₽ | -147 |
Декабрь | 1 576 ₽ | -6 |
Январь | 1 246 ₽ | -330 |
Тактовая частота: | 400 МГц |
Буферизованная (Registered): | Нет |
Поддержка ECC: | Нет |
Пропускная способность: | 3200 МБ/с |
Форм-фактор: | DIMM 184-контактный |
Низкопрофильная (Low Profile): | Нет |
Тип памяти: | DDR |
Объем: | 1 модуль 1 ГБ |
Row Precharge Delay (tRP): | 3 |
CAS Latency (CL): | 3 |
RAS to CAS Delay (tRCD): | 3 |
Дополнительная информация: | Позолоченные контакты. |
Напряжение питания: | 2.6 В |
Количество чипов каждого модуля: | 16, двусторонняя упаковка |