Июнь | 1 550 ₽ | 0 |
Июль | 1 550 ₽ | 0 |
Август | 1 415 ₽ | -135 |
Сентябрь | 1 512 ₽ | + 97 |
Октябрь | 1 249 ₽ | -263 |
Ноябрь | 1 249 ₽ | 0 |
Тип памяти: | DDR |
Буферизованная (Registered): | Нет |
Форм-фактор: | SODIMM 200-контактный |
Низкопрофильная (Low Profile): | Нет |
Поддержка ECC: | Нет |
Объем: | 1 модуль 1 ГБ |
Тактовая частота: | 333 МГц |
Пропускная способность: | 2700 МБ/с |
CAS Latency (CL): | 2.5 |
Row Precharge Delay (tRP): | 3 |
RAS to CAS Delay (tRCD): | 3 |
Количество чипов каждого модуля: | 16, двусторонняя упаковка |
Количество ранков: | 2 |
Напряжение питания: | 2.6 В |