| Июнь | 1 550 ₽ | 0 |
| Июль | 1 550 ₽ | 0 |
| Август | 1 415 ₽ | -135 |
| Сентябрь | 1 512 ₽ | + 97 |
| Октябрь | 1 249 ₽ | -263 |
| Ноябрь | 1 249 ₽ | 0 |
| Тип памяти: | DDR |
| Буферизованная (Registered): | Нет |
| Форм-фактор: | SODIMM 200-контактный |
| Низкопрофильная (Low Profile): | Нет |
| Поддержка ECC: | Нет |
| Объем: | 1 модуль 1 ГБ |
| Тактовая частота: | 333 МГц |
| Пропускная способность: | 2700 МБ/с |
| CAS Latency (CL): | 2.5 |
| Row Precharge Delay (tRP): | 3 |
| RAS to CAS Delay (tRCD): | 3 |
| Количество чипов каждого модуля: | 16, двусторонняя упаковка |
| Количество ранков: | 2 |
| Напряжение питания: | 2.6 В |